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A2T21S161W12SR3

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A2T21S161W12SR3 技术参数

A2T21S160-12SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 2.17GHz 18.4dB 38W NI-780-2S2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:2.17GHz 增益:18.4dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA 功率 - 输出:38W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780-2S2L 供应商器件封装:NI-780-2S2L 标准包装:250 A2T21H450W19SR6 功能描述:2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:2.11GHz ~ 2.2GHz 增益:15.7dB 电压 - 测试:30V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA 功率 - 输出:390W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-1230S-4S4S 供应商器件封装:NI-1230S-4S4S 标准包装:150 A2T21H410-24SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 600mA 2.17GHz 15.6dB 72W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS（双）频率:2.17GHz 增益:15.6dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA 功率 - 输出:72W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-1230-4LS2L 供应商器件封装:NI-1230-4LS2L 标准包装:150 A2T21H360-24SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 2.14GHz 16.2dB 63W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:2.14GHz 增益:16.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA 功率 - 输出:63W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-1230-4LS2L 供应商器件封装:NI-1230-4LS2L 标准包装:150 A2T21H360-23NR6 功能描述:RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售晶体管类型:LDMOS（双）频率:2.11GHz ~ 2.2GHz 增益:16.8dB 电压 - 测试:28V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA 功率 - 输出:373W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:OM-1230-4L2L 供应商器件封装:OM-1230-4L2L 标准包装:150 A2T27S020GNR1 A2T27S020NR1 A2V07H400-04NR3 A2V07H525-04NR6 A2V09H300-04NR3 A2V09H400-04NR3 A2V09H525-04NR6 A-3 A300 A300A A301 A301-100-F3 A30110204 A30110204MP A30110207 A301103 A30110307 A301104