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AFV10700H-1090

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AFV10700H-1090 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • RF POWER TRANSISTORS
  • 制造商
  • nxp usa inc.
  • 系列
  • -
  • 零件状态
  • 在售
  • 晶体管类型
  • LDMOS(双)
  • 频率
  • 1.03GHz ~ 1.09GHz
  • 增益
  • 19.2dB
  • 电压 - 测试
  • 50V
  • 额定电流
  • 10μA
  • 噪声系数
  • -
  • 功率 - 输出
  • 770W
  • 电压 - 额定
  • 105V
  • 封装/外壳
  • NI-780-4
  • 供应商器件封装
  • NI-780-4
  • 标准包装
  • 1
AFV10700H-1090 技术参数
  • AFV10700GSR5 功能描述:1030MHZ 750W NI780GS-4L 制造商:nxp usa inc. 系列:* 零件状态:在售 标准包装:50 AFV09P350-04NR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 48V 860mA 920MHz 19.5dB 100W OM780-4 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:920MHz 增益:19.5dB 电压 - 测试:48V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:860mA 功率 - 输出:100W 电压 - 额定:105V 封装/外壳:OM780-4 供应商器件封装:OM780-4 标准包装:250 AFV09P350-04GNR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 48V 860mA 920MHz 19.5dB 100W OM-780G-4L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:920MHz 增益:19.5dB 电压 - 测试:48V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:860mA 功率 - 输出:100W 电压 - 额定:105V 封装/外壳:OM-780G-4L 供应商器件封装:OM-780G-4L 标准包装:250 AFTS 功能描述:507MHz Whip, Straight RF Antenna 118MHz ~ 896MHz 0dB Connector, NMO Base Mount 制造商:laird technologies ias 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 频率组:VHF(f < 300 MHz),UHF(300 MHz ~ 1 GHz) 频率(中心/带):507MHz 频率范围:118MHz ~ 896MHz 天线类型:鞭状,直形 频带数:1 VSWR:1.5 回波损耗:- 增益:0dB 功率 - 最大值:- 特性:- 端接:连接器,NMO 侵入防护:- 安装类型:基座 高度(最大值):- 应用:- 标准包装:1 AFTMS001 功能描述:EASY-ON ANTI-GLARE FILTER FOR MI 制造商:3m 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 AFW1010A AFW1020A AFW1030A AFW1033 AFW1040A AFW2010A AFW2020A AFW2030A AFW2035A AFW2040A AFW2050A AFW2060A AFW2065A AFZE-5003 AFZE-5004 AG001-01 AG001-01E AG003-01
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