AO3420A/AO3420

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AO3420A/AO3420 技术参数

AO3420 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:630pF @ 10V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:1 AO3419_101 功能描述:MOSFET P-CH 20V SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購标准包装:3,000 AO3419 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:85 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 10V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:1 AO3418_101 功能描述:MOSFET N-CH 30V SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購标准包装:3,000 AO3418 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 3.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:270pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:1 AO3424_102 AO3434 AO3434A AO3435 AO3438 AO3442 AO3456 AO3460 AO3460L AO4202 AO4202_120 AO4202L AO4240 AO4260 AO4262E AO4264 AO4264_101 AO4264_DELTA