AO4478L/AO4478

配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

AO4478L/AO4478
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
28321
AO
SOP-8
21+
-
原厂原装现货

AO4478L/AO4478
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
AO
SOP-8
22+
-
全新原装现货供应

AO4478L/AO4478
深圳成德兴科技有限公司
深圳成德兴科技有限公司
联系人：马庆勇
电话：0755-82567711
地址：深南中路佳和电子大厦（华强三店）三楼3C072室
资质：营业执照
32050
AO
SOP-8
22+
-
原装现货可含税样品可拆

AO4478L/AO4478
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
3000
AO
SOP-8
14GB
-
原装现货/特价

AO4478L/AO4478
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
AO
SOP-8
23+
-
原装正品欢迎咨询

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AO4478L/AO4478 技术参数

AO4478 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:560pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4476G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:初步 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1200pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.7W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.5 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:3,000 AO4476AL_102 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.7 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1380pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4476AL_101 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.7 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:3,000 AO4476AL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.7 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:3,000 AO4488 AO4488L AO4488L_101 AO4490 AO4490L AO4492 AO4494 AO4494H AO4496 AO4496_101 AO4498 AO4498E AO4498EL AO4566 AO4568 AO4576 AO4578 AO4588