AO4710L_101

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功能描述
MOSFET P-CH 8SOIC
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
43nC @ 10V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2376pF @ 15V
FET 功能
肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
11.8 毫欧 @ 12.7A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准包装
3,000

AO4710L_101 技术参数

AO4710 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.8 毫欧 @ 12.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2376pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4708 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.7 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3360pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4706 功能描述:MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.8 毫欧 @ 16.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:77nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5000pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4701 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:49 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:952pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4630 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:- 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A，7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:670pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4771 AO4771L AO4772 AO4800B AO4800L AO4801A AO4801AL AO4801AL_001 AO4801AS AO4801HL AO4801L AO4803A AO4803AL AO4803L AO4805 AO4805L_101 AO4806 AO4806L