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AOB360A70L

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  • AOB360A70L
    AOB360A70L

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  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • D2PAK/TO-263

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • AOB360A70L
    AOB360A70L

    AOB360A70L

  • 深圳市宏浩通电子科技有限公司
    深圳市宏浩通电子科技有限公司

    联系人:王利娟

    电话:13823141664

    地址:华强北街道上步工业区305栋3楼B08

  • 1600

  • AOS

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原装正品 假一罚十

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
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AOB360A70L 技术参数
  • AOB29S50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):29A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 14.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1312pF @ 100V 功率 - 最大值:357W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB298L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),58A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1670pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB296L 功能描述:MOSFET N CH 100V 9.5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.5A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.7 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2785pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:800 AOB292L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 105A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.5A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.1 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):126nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6775pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB2918L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 13A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),90A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3430pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB42S60L AOB440 AOB442 AOB462L AOB470L AOB480L AOB482L AOB4S60L AOB5B60D AOB5B65M1 AOB7S60L AOB7S65L AOB9N70L AOB-IBRS232 AOC2401 AOC2403 AOC2411 AOC2412
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