AOD6N50+其他被动元件

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AOD6N50+其他被动元件技术参数

AOD6N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:670pF @ 25V 功率 - 最大值:104W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD661 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 12A TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16.5 毫欧 @ 12A, 10V, 22.5 毫欧 @ 9.7A, 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V, 15nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:760pF @ 15V 功率 - 最大值:15.6W, 31W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOD609 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道，共漏 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:1 AOD607A 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/12A TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc），12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 8A，10V，27 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA，2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V，12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:395pF @ 15V，730pF @ 15V 功率 - 最大值:19W（Tc），30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOD607_DELTA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 12A，10V，37 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA，2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12.5nC @ 4.5V，11.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1250pF @ 15V，1100pF @ 15V 功率 - 最大值:25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOE6922 AOE6930 AOE6932 AOE6936 AO-FMEM-SMAM AO-FME-SMA AOH3106 AOH3110 AOH3254 AOI11S60 AOI1N60 AOI1N60L AOI206_002 AOI208 AOI2210 AOI2606 AOI2610 AOI2610E