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AOD7B65M3

配单专家企业名单
  • 型号
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  • AOD7B65M3
    AOD7B65M3

    AOD7B65M3

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • AOS/ 万代

  • TO-252

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • AOD7B65M3
    AOD7B65M3

    AOD7B65M3

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 2500

  • isc,iscsemi

  • DPAK/TO-252

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • AOD7B65M3
    AOD7B65M3

    AOD7B65M3

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 9688

  • TI

  • NA

  • 19+

  • -
  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • AOD7B65M3
    AOD7B65M3

    AOD7B65M3

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • AOS

  • 22+

  • -
  • 原装正品

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  • 功能描述
  • IGBT 650V 7A TO252
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • Alpha IGBT??
  • 零件状态
  • 在售
  • IGBT 类型
  • -
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 650V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
  • 14A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
  • 21A
  • 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
  • 2.35V @ 15V, 7A
  • 功率 - 最大值
  • 69W
  • 开关能量
  • 108μJ (开), 99μJ (关)
  • 输入类型
  • 标准
  • 栅极电荷
  • 14nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值
  • 6ns/79ns
  • 测试条件
  • 400V, 7A, 43 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间(trr)
  • 212ns
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 供应商器件封装
  • TO-252,(D-Pak)
  • 标准包装
  • 2,500
AOD7B65M3 技术参数
  • AOD6N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):670pF @ 25V 功率 - 最大值:104W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD661 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 12A TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16.5 毫欧 @ 12A, 10V, 22.5 毫欧 @ 9.7A, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 4.5V, 15nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):760pF @ 15V 功率 - 最大值:15.6W, 31W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOD609 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道,共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:1 AOD607A 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/12A TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc),12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 8A,10V,27 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA,2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):7nC @ 4.5V,12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):395pF @ 15V,730pF @ 15V 功率 - 最大值:19W(Tc),30W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOD607_DELTA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 12A,10V,37 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA,2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):12.5nC @ 4.5V,11.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1250pF @ 15V,1100pF @ 15V 功率 - 最大值:25W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOE6930 AOE6932 AOE6936 AO-FMEM-SMAM AO-FME-SMA AOH3106 AOH3110 AOH3254 AOI11S60 AOI1N60 AOI1N60L AOI206_002 AOI208 AOI2210 AOI2606 AOI2610 AOI2610E AOI2614
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