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AOG

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  • AOG8
    AOG8

    AOG8

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 250000

  • TI

  • SOT23-6

  • 最新批次

  • -
  • 百分百原装质量保障

  • AOGF20D65L1L
    AOGF20D65L1L

    AOGF20D65L1L

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 14000

  • isc,iscsemi

  • TO-3PF-3

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • AOGF60B65H2AL
    AOGF60B65H2AL

    AOGF60B65H2AL

  • 深圳市宏浩通电子科技有限公司
    深圳市宏浩通电子科技有限公司

    联系人:王利娟

    电话:13823141664

    地址:华强北街道上步工业区305栋3楼B08

  • 17500

  • AOS

  • N/A

  • 21

  • -
  • 原装正品 假一罚十

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
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AOG 技术参数
  • AO-FME-SMA 功能描述:ANTENNA ADAPTER REDUCTION FME-F 制造商:b&b smartworx, inc. 系列:- 零件状态:在售 配件类型:适配器 配套使用产品/相关产品:- 标准包装:1 AO-FMEM-SMAM 功能描述:ANTENNA ADAPTER REDUCTION FME-M 制造商:b&b smartworx, inc. 系列:- 零件状态:在售 配件类型:适配器 配套使用产品/相关产品:- 标准包装:1 AOE6936 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型 FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A (Tc), 85A (Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 20A, 10V, 2 毫欧 @ 20A, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA,2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):15nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V 功率 - 最大值:24W, 39W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:3,000 AOE6932 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型 FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A (Tc), 85A (Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 20A, 10V, 1.4 毫欧 @ 20A, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA,1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V 功率 - 最大值:24W, 52W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:3,000 AOE6930 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 22A/85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型 FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A (Tc), 85A (Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.3 毫欧 @ 20A, 10V, 0.83 毫欧 @ 30A, 10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA,1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V 功率 - 最大值:24W, 75W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:3,000 AOI2606 AOI2610 AOI2610E AOI2614 AOI294A AOI296A AOI2N60 AOI2N60A AOI403 AOI409 AOI4102 AOI4126 AOI4130 AOI4144_002 AOI4146 AOI418 AOI4184 AOI4185
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