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AOI296A

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  • AOI296A
    AOI296A

    AOI296A

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 10000

  • isc,iscsemi

  • IPAK/TO-251

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
AOI296A PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 70A TO251A
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
  • 100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 70A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 60nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 3130pF @ 50V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 89W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 8.3 毫欧 @ 20A,10V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • TO-251A
  • 封装/外壳
  • TO-251-3 短截引线,IPak
  • 标准包装
  • 70
AOI296A 技术参数
  • AOI294A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 55A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):50nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2305pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):73W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-251A 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 标准包装:70 AOI2614 功能描述:MOSFET NCH 60V 35A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta), 35A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1340pF @ 30V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:70 AOI2610E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 46A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:在售 标准包装:2,500 AOI2610 功能描述:MOSFET NCH 60V 46A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta),46A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.7 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2007pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:70 AOI2606 功能描述:MOSFET NCH 60V 46A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Ta),46A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4050pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:70 AOI418 AOI4184 AOI4185 AOI423 AOI4286 AOI442 AOI444 AOI452A AOI468 AOI472A AOI482 AOI4C60 AOI4N60 AOI4S60 AOI4T60 AOI4T60P AOI4TL60 AOI508
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