AON4703 DFN 2X3

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AON4703 DFN 2X3 技术参数

AON4703 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 3.4A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:540pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x2）标准包装:1 AON4605_002 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購标准包装:3,000 AON4605_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.3A，3.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:210pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x2）标准包装:1 AON4605 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.3A，3.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 4.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:210pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x2）标准包装:3,000 AON4421_001 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:26 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1120pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x2）标准包装:1 AON5810 AON5816 AON5820 AON5820_101 AON6144 AON6152 AON6154 AON6156 AON6160 AON6162 AON6200L AON6202 AON6204 AON6206 AON6210 AON6220 AON6224 AON6226