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AON6971+MOS(场效应管)

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AON6971+MOS(场效应管) 技术参数
  • AON6971 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 23A/40A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A,40A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.7 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1010pF @ 15V 功率 - 最大值:5W,4.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP(5x6) 标准包装:1 AON6970_002 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:停產 标准包装:3,000 AON6970_001 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:停產 标准包装:3,000 AON6970 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 24A/42A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A,42A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.4 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1171pF @ 15V 功率 - 最大值:5W,4.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP(5x6) 标准包装:3,000 AON6946 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 14A/18A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A,18A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11.6 毫欧 @ 13A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):485pF @ 15V 功率 - 最大值:3.5W,3.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1 AON7140 AON7200 AON7200_101 AON7200_102 AON7200L AON7202 AON7202_101 AON7202L AON7210 AON7220 AON7230 AON7232 AON7240 AON7242 AON7244 AON7246 AON7246_101 AON7246E
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