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配单专家企业名单

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批号
价格
说明
操作

AON7318
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
12000
AOS
DFN
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

AON7318
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
14346
AO
DFN-83.3X3.3
21+
-
原厂原装现货

AON7318
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
24200
AOS
DFN
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

AON7318
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-8279802015814679726（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
36890
AOS
DFN
21+原厂授权
-

AON7318
深圳市宏浩通电子科技有限公司
深圳市宏浩通电子科技有限公司
联系人：王利娟
电话：13823141664
地址：华强北街道上步工业区305栋3楼B08
30000
AOS
N/A
21
-
原装正品假一罚十

AON7318
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
21+
6000
SOP
-
进口原装现货支持实单价优

AON7318
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4405
AOS
DFN8
2218+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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AON7318 技术参数

AON7296 功能描述:MOSFET N-CH 100V 5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta），12.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:66 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:415pF @ 50V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7292 功能描述:MOSFET N-CH 100V 23A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），23A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1170pF @ 50V 功率 - 最大值:4.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）标准包装:1 AON7290 功能描述:MOSFET N CH 100V 15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2075pF @ 50V 功率 - 最大值:6.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）标准包装:3,000 AON7280 功能描述:MOSFET N-CH 80V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1871pF @ 40V 功率 - 最大值:6.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）标准包装:1 AON7264E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:25nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:27.5W (Tc) 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.5 毫欧 @ 17A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:5,000 AON7401 AON7402 AON7402_101 AON7402L AON7403 AON7403L_001 AON7404 AON7405 AON7406 AON7407 AON7408 AON7409 AON7410 AON7410L_101 AON7412 AON7414 AON7416 AON7416_101