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AON7442

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
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  • AON7442
    AON7442

    AON7442

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • AOS

  • DFN3.3x3.3

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • AON7442
    AON7442

    AON7442

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • AOS/万代

  • DFN33

  • 21+

  • -
  • 优势供应 实单必成 可13点增值税

  • AON7442
    AON7442

    AON7442

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • AOS

  • 22+

  • -
  • 原装正品

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • AlphaMOS
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
  • 30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 65nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 2994pF @ 15V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 83W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 1.9 毫欧 @ 20A,10V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • 8-DFN-EP(3.3x3.3)
  • 封装/外壳
  • 8-PowerWDFN
  • 标准包装
  • 3,000
AON7442 技术参数
  • AON7440 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2820pF @ 15V 功率 - 最大值:4.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3) 标准包装:3,000 AON7436 功能描述:MOSFET N-CH 20V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),23A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):630pF @ 10V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:1 AON7432 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10.5A(Ta),18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 10.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):813pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:1 AON7430 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),34A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):910pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 标准包装:5,000 AON7428 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A 3X3DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3120pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3) 标准包装:1 AON7458 AON7460 AON7462 AON7466 AON7474A AON7502 AON7506 AON7508 AON7510 AON7514 AON7516 AON7518 AON7520 AON7522E AON7524 AON7526 AON7528 AON7532E
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