AOT12N30L_代理商_批发/采购【买卖IC网】AOT12N30L

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AOT12N30L
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
4250
isc,iscsemi
TO-220
2024+
-
国产品牌，可替代原装

AOT12N30L
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
AOS美国万代
TO220
22+
-
十年配单，只做原装

AOT12N30L MOS(场效应管)
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
AO/万代
TO-220
23+
-
原装正品欢迎咨询

AOT12N30L
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
65000
AOS/万代
TO-220
1311+PB
-
★★★真实库存，假一赔十，原厂授权★★★

AOT12N30L
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
5589
AO/万代
TO-220
13+
-
全新原装现货，假一罚十

AOT12N30L
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
AOS美国万代
TO220
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

AOT12N30L
深圳市莱特斯电子科技有限公司
深圳市莱特斯电子科技有限公司
联系人：江先生
电话：19176527791
地址：深圳市福田区赛格广场1609A
资质：营业执照
12000
AO/万代
TO-220
21+
-
?只做原装进口，承诺假一罚十，授权分销商...

AOT12N30L
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
59990
AO/万代
TO-220
17+
-
100%原装，诚信为本，等你咨询！

AOT12N30L
深圳市桂鹏科技有限公司
深圳市桂鹏科技有限公司
联系人：田小姐/高先生/李小姐
电话：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）
资质：营业执照
82810298
AO/万代
TO-220
15+
-
深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

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功能描述
MOSFET N CH 300V 11.5A TO220
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

AOT12N30L 技术参数

AOT11S65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:399 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:646pF @ 100V 功率 - 最大值:198W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT11S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:399 毫欧 @ 3.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:178W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT11N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 11A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:700V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:870 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2150pF @ 25V 功率 - 最大值:271W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT11N60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:650 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1990pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT11C60PL 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:420 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2333pF @ 100V 功率 - 最大值:298W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT14N50 AOT14N50FD AOT15B60D AOT15B65M1 AOT15S60L AOT15S65L AOT1606L AOT1608L AOT16N50 AOT1N60 AOT20B65M1 AOT20C60 AOT20C60L AOT20C60PL AOT20N25L AOT20N60L AOT20S60L AOT210L