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AOT2142

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  • AOT2142L
    AOT2142L

    AOT2142L

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 100000

  • YXYBDT台湾

  • TO-220

  • 2024+

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  • 代理台湾YXYBDT.现货

  • AOT2142L
    AOT2142L

    AOT2142L

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 10000

  • isc,iscsemi

  • TO-220

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • AOT2142L
    AOT2142L

    AOT2142L

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • AOS

  • TO-220

  • 最新批号

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  • AOT2142L
    AOT2142L

    AOT2142L

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 330000

  • AOS/万代

  • TO-220

  • 21+

  • -
  • 优势供应 实单必成 可13点增值税

  • AOT2142L
    AOT2142L

    AOT2142L

  • 深圳市贸盛微电子有限公司
    深圳市贸盛微电子有限公司

    联系人:周先生

    电话:0755-8220875218127068687

    地址:深圳市罗湖区嘉宾路友谊大厦五栋3楼G

    资质:营业执照

  • 30000

  • AOS

  • TO220

  • NA

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  • 原装现货

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AOT2142 技术参数
  • AOT210L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.9 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4300pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT20S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):199 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1038pF @ 100V 功率 - 最大值:266W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT20N60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):370 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3680pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT20N25L 功能描述:MOSFET N-CH 250V 20A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):170 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1028pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT20C60PL 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3607pF @ 100V 功率 - 最大值:463W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT260L AOT2610L AOT2618L AOT262L AOT264L AOT266L AOT270AL AOT270L AOT27S60L AOT280L AOT282L AOT284L AOT286L AOT288L AOT2904 AOT2906 AOT290L AOT2910L
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