AOY2610E

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AOY2610E
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
3000
isc,iscsemi
IPAK/TO-251
2024+
-
国产品牌，可替代原装

AOY2610E
深圳市诚创信科技有限公司
深圳市诚创信科技有限公司
联系人：廖敏
电话：13135041015
地址：福田区南光捷佳2018室
96000
AOS
TO-251B
20+
-
原装现货

AOY2610E
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
AOS
22+
-
原装正品

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
AlphaSGT?
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
19A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
13nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1100pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
59.5W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
9.5 毫欧 @ 20A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-251B
封装/外壳
TO-251-3 短截引线，IPak
标准包装
3,500

AOY2610E 技术参数

AOWF9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:700V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOWF8N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:850 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1042pF @ 25V 功率 - 最大值:27.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262F 标准包装:1,000 AOWF7S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:434pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOWF7S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:372pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOWF4S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:263pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOZ1014DI AOZ1015AI AOZ1016AI AOZ1016AIL AOZ1017AI AOZ1019AI AOZ1020AI AOZ1020AIL AOZ1021AI AOZ1021AIL AOZ1021HAIL_2 AOZ1022DI AOZ1022DI-01 AOZ1022PI AOZ1024DI AOZ1024DI_2 AOZ1024DI_5 AOZ1024DI_6