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AOY423

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • AOY423
    AOY423

    AOY423

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Alpha & Omega Semiconduct

  • TO-251B

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • AOY423
    AOY423

    AOY423

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 3000

  • isc,iscsemi

  • IPAK/TO-251

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • AOY423
    AOY423

    AOY423

  • 深圳市诚创信科技有限公司
    深圳市诚创信科技有限公司

    联系人:廖敏

    电话:13135041015

    地址:福田区南光捷佳2018室

  • 96000

  • AOS

  • TO-251B

  • 20+

  • -
  • 原装现货

  • AOY423
    AOY423

    AOY423

  • 深圳市贸盛微电子有限公司
    深圳市贸盛微电子有限公司

    联系人:周先生

    电话:0755-8220875218127068687

    地址:深圳市罗湖区嘉宾路友谊大厦五栋3楼G

    资质:营业执照

  • 30000

  • AOS

  • TO251B

  • NA

  • -
  • 原装现货

  • 1/1页 40条/页 共8条 
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  • 功能描述
  • MOSFET P-CH
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 15A(Ta),70A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 6.7 毫欧 @ 20A,20V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 65nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 2760pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 2.5W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-251-3 短截引线,IPak
  • 供应商器件封装
  • TO-251B
  • 标准包装
  • 3,500
AOY423 技术参数
  • AOY4158P 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期 标准包装:1 AOY2N60 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.7 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):295pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251 标准包装:3,500 AOY2610E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1100pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):59.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.5 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-251B 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 标准包装:3,500 AOWF9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):700V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1630pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:* 标准包装:1,000 AOWF8N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1042pF @ 25V 功率 - 最大值:27.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:TO-262F 标准包装:1,000 AOZ1016AIL AOZ1017AI AOZ1019AI AOZ1020AI AOZ1020AIL AOZ1021AI AOZ1021AIL AOZ1021HAIL_2 AOZ1022DI AOZ1022DI-01 AOZ1022PI AOZ1024DI AOZ1024DI_2 AOZ1024DI_5 AOZ1024DI_6 AOZ1024DI_7 AOZ1025DIL AOZ1031AI
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