AOY516

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AOY516
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
12591
AOS
TO-251B
21+
-
原厂原装现货

AOY516
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
3000
isc,iscsemi
IPAK/TO-251
2024+
-
国产品牌，可替代原装

AOY516
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3266
AOS
TO-251B
2207+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

AOY516
深圳市贸盛微电子有限公司
深圳市贸盛微电子有限公司
联系人：周先生
电话：0755-8220875218127068687
地址：深圳市罗湖区嘉宾路友谊大厦五栋3楼G
资质：营业执照
30000
AOS
TO251B
NA
-
原装现货

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制造商
AOSMD
制造商全称
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述
30V N-Channel AlphaMOS

AOY516 技术参数

AOY514 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1187pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251B 标准包装:70 AOY423 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），70A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.7 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2760pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251B 标准包装:3,500 AOY4158P 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期标准包装:1 AOY2N60 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.7 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:295pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 供应商器件封装:TO-251 标准包装:3,500 AOY2610E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:59.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-251B 封装/外壳:TO-251-3 短截引线，IPak 标准包装:3,500 AOZ1019AI AOZ1020AI AOZ1020AIL AOZ1021AI AOZ1021AIL AOZ1021HAIL_2 AOZ1022DI AOZ1022DI-01 AOZ1022PI AOZ1024DI AOZ1024DI_2 AOZ1024DI_5 AOZ1024DI_6 AOZ1024DI_7 AOZ1025DIL AOZ1031AI AOZ1033AI AOZ1034DI