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说明
操作

APT15GP60BSC
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
13082
APT
直插/贴片
2024+
-
正宗原装现货

APT15GP60BSC
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APT15GP60BSC
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
0809+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT15GP60BSC
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
APT
价格优势
17+
-
原装正品。优势供应

APT15GP60BSC
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
APT
价格优势
21+
-
只做原装正品

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APT15GP60BSC 技术参数

APT15GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:56A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 开关能量:130μJ（开），121μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/29ns 测试条件:400V，15A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15GP60BDQ1G 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:56A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 开关能量:130μJ（开），120μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/29ns 测试条件:400V，15A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15GP60BDLG 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:不適用於新設計 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:56A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 开关能量:130μJ（开），121μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/29ns 测试条件:400V，15A，5 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT15GN120KG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 45A 195W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，15A 功率 - 最大值:195W 开关能量:410μJ（开），950μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/150ns 测试条件:800V，15A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:30 APT15GN120BDQ1G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 45A 195W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，15A 功率 - 最大值:195W 开关能量:410μJ（开），950μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/150ns 测试条件:800V，15A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15S20BCTG APT15S20KCTG APT15S20KG APT1608CGCK APT1608EC APT1608F3C APT1608LSECK/J3-PRV APT1608LSECK/J4-PRV APT1608LSYCK/J3-PRV APT1608LVBC/D APT1608LZGCK APT1608MGC APT1608PBC/A APT1608PBC/Z APT1608PGW APT1608PYW APT1608QBC/D APT1608QBC/G

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