APT50M50L2LLG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT50M50L2LLG
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
APTMICROSEMI
264MAXL2
22+
-
十年配单，只做原装

APT50M50L2LLG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83276452
地址：坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室
9900
Microchip Technology
TO-264-3
23+
-
微芯专营优势产品

APT50M50L2LLG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APT50M50L2LLG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
264 MAX?[L2]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Trans MOSFET N-CH 500V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MOSFET - MOS7 - Rail/Tube
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MOSFET TRANSISTOR
制造商
Microsemi
功能描述
Trans MOSFET N-CH 500V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX

APT50M50L2LLG 技术参数

APT50M50JLL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:71A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 35.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:200nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10550pF @ 25V 功率 - 最大值:595W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT50M38JLL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:88A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:38 毫欧 @ 44A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12000pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 APT50GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，50A 功率 - 最大值:446W 开关能量:995μJ（开），1070μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:240nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/240ns 测试条件:400V，50A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT50GT60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，50A 功率 - 最大值:446W 开关能量:995μJ（开），1070μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:240nC 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/240ns 测试条件:400V，50A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:22ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT50GT120LRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:106A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 开关能量:2585μJ（开），1910μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:240nC 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/215ns 测试条件:800V，50A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J APT51M50J APT53F80J APT53N60BC6 APT54GA60B APT54GA60BD30 APT5510JFLL APT5518BFLLG APT55M50JFLL APT55M65JFLL APT56F50B2 APT56F50L APT56F60B2 APT56F60L APT56M50B2