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APT66F60B2

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APT66F60B2
    APT66F60B2

    APT66F60B2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • APT66F60B2
    APT66F60B2

    APT66F60B2

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 95

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • APT66F60B2
    APT66F60B2

    APT66F60B2

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • APT66F60B2
    APT66F60B2

    APT66F60B2

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 118992

  • YXYBDT台湾

  • TO-3PN

  • 2024+

  • -
  • 代理台湾YXYBDT.现货

  • APT66F60B2
    APT66F60B2

    APT66F60B2

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • T-MAX? [B2]

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • APT66F60B2
    APT66F60B2

    APT66F60B2

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:0755-886074588325800283206150

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 19

  • Microsemi Power Products

  • 2016+

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • APT66F60B2
    APT66F60B2

    APT66F60B2

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc,iscsemi

  • TO-3PN

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • APT66F60B2
    APT66F60B2

    APT66F60B2

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • Microsemi

  • TO-247

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!

  • APT66F60B2
    APT66F60B2

    APT66F60B2

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • APT

  • 价格优势

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • APT66F60B2
    APT66F60B2

    APT66F60B2

  • 永利电子元器件深圳有限公司
    永利电子元器件深圳有限公司

    联系人:全迎

    电话:1892843782715626510689杨小姐

    地址:华强路汇商中心

  • 10000

  • APT

  • 价格优势

  • 21+

  • -
  • 只做原装正品

  • 1/1页 40条/页 共21条 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • POWER MOS 8™
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
APT66F60B2 技术参数
  • APT65GP60L2DQ2G 功能描述:IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):198A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):250A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,65A 功率 - 最大值:833W 开关能量:605μJ(开),895μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:210nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/90ns 测试条件:400V,65A,5 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 安装类型:通孔 供应商器件封装:* 标准包装:1 APT65GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 130A 431W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:431W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,65A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):7.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT65GP60B2G 功能描述:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):250A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,65A 功率 - 最大值:833W 开关能量:605μJ(开),896μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:210nC 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/91ns 测试条件:400V,65A,5 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 变式 安装类型:通孔 供应商器件封装:* 标准包装:1 APT64GA90LD30 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿(最大值):900V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):117A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):193A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.1V @ 15V,38A 功率 - 最大值:500W 开关能量:1192μJ(开),1088μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:162nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/131ns 测试条件:600V,38A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT64GA90B2D30 功能描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿(最大值):900V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):117A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):193A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.1V @ 15V,38A 功率 - 最大值:500W 开关能量:1192μJ(开),1088μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:162nC 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/131ns 测试条件:600V,38A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 变式 安装类型:通孔 供应商器件封装:* 标准包装:1 APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B APT70GR65B2DU40 APT70GR65B2SCD30 APT70SM70B APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J
配单专家

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