APT70GR65B2SCD30

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型号
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封装
批号
价格
说明
操作

APT70GR65B2SCD30
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9688
TI
NA
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

APT70GR65B2SCD30
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
T-MAX? [B2]
17+
-
全新原装现货

APT70GR65B2SCD30
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc,iscsemi
PLUS247,T-Max
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT70GR65B2SCD30
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Microsemi
22+
-
原装正品

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1

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功能描述
IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2]
制造商
microsemi corporation
系列
*
包装
散装
零件状态
有效
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
134A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
260A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2.4V @ 15V，70A
功率 - 最大值
595W
开关能量
*
输入类型
*
栅极电荷
305nC
25°C 时 Td（开/关）值
19ns/170ns
测试条件
433V，70A，4.3 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
-
封装/外壳
TO-247-3
安装类型
通孔
供应商器件封装
T-MAX? [B2]
标准包装
1

APT70GR65B2SCD30 技术参数

APT70GR65B2DU40 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:134A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 开关能量:* 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/170ns 测试条件:433V，70A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT70GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:134A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):260A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/170ns 测试条件:433V，70A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT70GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:160A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 功率 - 最大值:961W 开关能量:3.82mJ（开），2.58mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:544nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/278ns 测试条件:600V，70A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT70GR120JD60 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:112A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:7.26nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT70GR120J 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:112A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:7.26nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L