APT70SM70B

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT70SM70B
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc,iscsemi
TO-247
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT70SM70B
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
Microsemi/美高森美
TO-247
22+
-
十年配单，只做原装

APT70SM70B
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
14283
INFINEON
TO-247
21+
-
原厂原装现货

APT70SM70B
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
TO-247 [B]
17+
-
全新原装现货

APT70SM70B
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4444
INFINEON
TO-247
2206+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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您是不是要找： APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2

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功能描述
POWER MOSFET - SIC
制造商
microsemi corporation
系列
-
包装
散装
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源极电压（Vdss）
700V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
65A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
70 毫欧 @ 32.5A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
125nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
-
功率 - 最大值
300W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 [B]
标准包装
1

APT70SM70B 技术参数

APT70GR65B2SCD30 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:* 包装:散装零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:134A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):260A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 开关能量:* 输入类型:* 栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/170ns 测试条件:433V，70A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT70GR65B2DU40 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:134A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 开关能量:* 输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/170ns 测试条件:433V，70A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT70GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:134A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):260A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，70A 功率 - 最大值:595W 开关能量:1.51mJ（开），1.46mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:305nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/170ns 测试条件:433V，70A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT70GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:160A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 功率 - 最大值:961W 开关能量:3.82mJ（开），2.58mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:544nC 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/278ns 测试条件:600V，70A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT70GR120JD60 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:112A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:7.26nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L APT77N60BC6