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APTDF100H1201

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APTDF100H1201
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
3000
isc,iscsemi
E51X40-12L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

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APTDF100H1201 技术参数

APTDF100H100G 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 130A Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:1000V 电流 - DC 正向（If）:130A 安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTDC40H601G 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase, Silicon Carbide Schottky 600V 40A Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相，碳化硅肖特基电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - DC 正向（If）:40A 安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTDC40H1201G 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase, Silicon Carbide Schottky 1200V 40A Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相，碳化硅肖特基电压 - 峰值反向（最大值）:1200V 电流 - DC 正向（If）:40A 安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTDC20H601G 功能描述:RECT BRIDGE 20A 600V SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停產二极管类型:单相技术:碳化硅肖特基电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.8V @ 20A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:400μA @ 600V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTDC20H1201G 功能描述:RECT BRIDGE 20A 1200V SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:单相技术:碳化硅肖特基电压 - 峰值反向（最大值）:1.2kV 电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.8V @ 20A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:400μA @ 1200V 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTDF200H20G APTDF200H60G APTDF30H1201G APTDF30H601G APTDF400AA100G APTDF400AA120G APTDF400AA170G APTDF400AA20G APTDF400AA60G APTDF400AK100G APTDF400AK120G APTDF400AK170G APTDF400AK20G APTDF400AK60G APTDF400KK100G APTDF400KK120G APTDF400KK170G APTDF400KK20G