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APTGV50H60BG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP4
17+
-
全新原装现货

APTGV50H60BT3G
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
15862
MICROSEMI
Standa..
22+
-
全新原装正品现货热卖

APTGV50H60BG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGV50H60BG
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：江先生
电话：0755-236033608325800283223169
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

APTGV50H60B
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
9000
isc,iscsemi
N93X40-21L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

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APTGV50H60B 技术参数

APTGV50H120T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 75A 270W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:270W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGV50H120BTPG 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 1200V 75A 270W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止配置:升压斩波器，全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:270W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGV30H60T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 50A 90W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGV25H120T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 40A 156W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:156W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGV25H120BG 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 1200V 40A 156W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止配置:升压斩波器，全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:156W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTH006A0X-SRZ APTH012A0X3-SRZ APTH012A0X43-SRZ APTH020A0X3-SRZ APTH020A0X43-SRZ APTJC120AM13VCT1AG APTJC120AM25VCT1AG APTK2012RWC/Z-F01 APTL3216CGCK APTL3216PBC/A APTL3216QBC/D APTL3216SECK APTL3216SURCK APTL3216SYCK APTL3216SYCK01 APTL3216ZGC APTL3216ZGCK APTLGF300A1208G

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