AS4C1M16E5-45JC

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AS4C1M16E5-45JC
深圳市华芯盛世科技有限公司
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地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
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北京耐芯威科技有限公司
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地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
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AS4C1M16E5-45JC
深圳市一线半导体有限公司
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联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
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制造商
ALSC
制造商全称
Alliance Semiconductor Corporation
功能描述
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)

AS4C1M16E5-45JC 技术参数

AS4C1G8MD3L-12BCNTR 功能描述:IC SDRAM 8GBIT 800MHZ 78BGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L 存储容量:8Gb （1G x 8）时钟频率:800MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:13.75ns 存储器接口:并联电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）安装类型:表面贴装封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（9x13.2）标准包装:2,000 AS4C1G8MD3L-12BCN 功能描述:IC SDRAM DDR3L 1GX8 78-FBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR3L SDRAM 存储容量:8G（1G x 8）速度:800MHz 接口:并联电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）封装/外壳:78-TFBGA 供应商器件封装:78-FBGA（9x13.2）标准包装:220 AS4C16M32MSA-6BINTR 功能描述:IC SDRAM LP 16M X 32 90FBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:1,000 AS4C16M32MSA-6BIN 功能描述:IC SDRAM LP 16M X 32 90FBGA 制造商:alliance memory, inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:190 AS4C16M32MS-7BCNTR 功能描述:90-BALL BGA (8X13MM) 制造商:alliance memory, inc. 系列:- 零件状态:Digi-Key 停止供應存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - Mobile SDRAM 存储容量:512Mb （16M x 32）时钟频率:133MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）标准包装:1,000 AS4C256M16D3-12BCNTR AS4C256M16D3-12BIN AS4C256M16D3-12BINTR AS4C256M16D3A-12BAN AS4C256M16D3A-12BANTR AS4C256M16D3A-12BCN AS4C256M16D3A-12BCNTR AS4C256M16D3A-12BIN AS4C256M16D3A-12BINTR AS4C256M16D3B-12BCN AS4C256M16D3B-12BCNTR AS4C256M16D3L-12BAN AS4C256M16D3L-12BANTR AS4C256M16D3L-12BCN AS4C256M16D3L-12BCNTR AS4C256M16D3L-12BIN AS4C256M16D3L-12BINTR AS4C256M16D3LA-12BAN