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AS6C6264-55PIN

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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
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    联系人:朱小姐

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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    联系人:朱先生/李小姐

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  • 万三科技(深圳)有限公司
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  • 功能描述
  • IC SRAM 64KBIT 55NS 28DIP
  • 制造商
  • alliance memory, inc.
  • 系列
  • -
  • 零件状态
  • 在售
  • 存储器类型
  • 易失
  • 存储器格式
  • SRAM
  • 技术
  • SRAM - 异步
  • 存储容量
  • 64Kb (8K x 8)
  • 写周期时间 - 字,页
  • 55ns
  • 访问时间
  • 55ns
  • 存储器接口
  • 并联
  • 电压 - 电源
  • 2.7 V ~ 5.5 V
  • 工作温度
  • -40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 标准包装
  • 15
AS6C6264-55PIN 技术参数
  • AS6C6264-55PCN 功能描述:静态随机存取存储器 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray AS6C62256A-70SINTR 功能描述:静态随机存取存储器 256K, 4.5-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray AS6C62256A-70SIN 功能描述:静态随机存取存储器 256K, 4.5-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray AS6C62256A-70SCNTR 功能描述:静态随机存取存储器 256K, 4.5-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray AS6C62256A-70SCN 功能描述:静态随机存取存储器 Low Pw 静态随机存取存储器 2.7-5.5V 32Kx8 70ns 256K RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray AS6C6264A-70SCNTR AS6C6264A-70SIN AS6C6264A-70SINTR AS6C6416-55TIN AS6C6416-55TINTR AS6C8008-55BIN AS6C8008-55BINTR AS6C8008-55ZIN AS6C8008-55ZINTR AS6C8008A-45BIN AS6C8008A-45BINTR AS6C8008A-45ZIN AS6C8008A-45ZINTR AS6C8016-55BIN AS6C8016-55BINTR AS6C8016-55TIN AS6C8016-55TINTR AS6C8016-55ZIN
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