AUIRF1010ZSTRL

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AUIRF1010ZSTRL
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Infineon(英飞凌)
D2PAK
刚到货
-
代理可含税开票

AUIRF1010ZSTRL
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
INTERNATI
1521+
-
全新原装现货

AUIRF1010ZSTRL
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
I
TO-263
22+
-
十年配单，只做原装

AUIRF1010ZSTRL
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
IR
D2PAK
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

AUIRF1010ZSTRL
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原装正品

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功能描述
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

AUIRF1010ZSTRL 技术参数

AUIRF1010ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2840pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRF1010Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:95nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2840pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 毫欧 @ 75A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220AB 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:1,000 AUIRF1010EZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 毫欧 @ 51A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:86nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2810pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRF1010EZS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 毫欧 @ 51A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:86nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2810pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRB24427STR 功能描述:IC GATE DRIVER 24V 6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效驱动配置:低压侧通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:33ns，33ns（最大）工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:2,500 AUIRF1404S AUIRF1404STRL AUIRF1404Z AUIRF1404ZL AUIRF1404ZS AUIRF1404ZSTRL AUIRF1405 AUIRF1405ZL AUIRF1405ZS AUIRF1405ZS-7P AUIRF1405ZS-7TRL AUIRF1405ZSTRL AUIRF2804 AUIRF2804L AUIRF2804S AUIRF2804S-7P AUIRF2804STRL AUIRF2804STRL7P