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AUIRF3205ZPBF

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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部

    联系人:江先生

    电话:0755-236033608325800283223169

    地址:深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813

    资质:营业执照

  • 50000

  • IR

  • TO-220

  • 14+

  • -
  • 公司现货库存,全新原装正品。假一罚十,可...

  • AUIRF3205ZPBF.
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 137945

  • IR

  • TO-220

  • 1315+

  • -
  • 全新原装现货

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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 7600

  • IR

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 公司原装现货,可订货,有单来谈QQ:16...

  • AUIRF3205ZPBF.
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  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • IR

  • TO-220

  • 21+

  • -
  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税

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  • 1
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AUIRF3205ZPBF 技术参数
  • AUIRF3205Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 66A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3450pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 AUIRF3205 功能描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 62A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):146nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3247pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 AUIRF3007 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12.6 毫欧 @ 48A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):130nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3270pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 AUIRF3004WL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 195A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):210nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9450pF @ 32V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-262-3 宽引线 供应商器件封装:TO-262-3 宽型 标准包装:50 AUIRF2907ZS7PTL 功能描述:MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):260nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7580pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.8 毫欧 @ 110A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB 标准包装:800 AUIRF3710ZSTRL AUIRF3805 AUIRF3805L AUIRF3805L-7P AUIRF3805S AUIRF3805S-7P AUIRF3805S-7TRL AUIRF3808S AUIRF4104 AUIRF4104S AUIRF4905 AUIRF4905L AUIRF4905S AUIRF4905STRL AUIRF5210S AUIRF5210STRL AUIRF540Z AUIRF540ZS
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