B82111BC16/3UH9A

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B82111BC16/3UH9A 技术参数

B82111BC16 功能描述:3μH Unshielded Wirewound Inductor 9A 6 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包装:散装零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:3μH 容差:±20% 额定电流:9A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:6 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:220MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.295" 直径 x 0.965" 长（7.50mm x 24.50mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:200 B82111BC14 功能描述:17μH Unshielded Wirewound Inductor 2A 63 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包装:带卷（TR）零件状态:停产类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:17μH 容差:±20% 额定电流:2A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:63 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:100MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.275" 直径 x 0.945" 长（7.00mm x 24.00mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:200 B82111BC13 功能描述:8μH Unshielded Wirewound Inductor 3A 25 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:8μH 容差:±20% 额定电流:3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:25 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:145MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.275" 直径 x 0.945" 长（7.00mm x 24.00mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:200 B82111BC12 功能描述:6μH Unshielded Wirewound Inductor 4A 17 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:6μH 容差:±20% 额定电流:4A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:17 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:170MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.295" 直径 x 0.945" 长（7.50mm x 24.00mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:200 B82111BC11 功能描述:4μH Unshielded Wirewound Inductor 6A 14 mOhm Axial 制造商:epcos (tdk) 系列:B82111B 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:4μH 容差:±20% 额定电流:6A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:14 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:105MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔封装/外壳:轴向大小/尺寸:0.295" 直径 x 0.945" 长（7.50mm x 24.00mm）高度 - 安装（最大值）:- 标准包装:200 B82111E0000C029 B82111EC20 B82111EC21 B82111EC22 B82111EC23 B82111EC24 B82111EC25 B82111EC26 B82111EC27 B82111EC28 B82111EC29 B82114RA1 B82114RA4 B82114RC1 B82114RC4 B82131A5151M B82131A5152M B82131A5202M