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B82442A1473J000

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B82442A1473J000 技术参数

B82442A1472K 功能描述:4.7μH Unshielded Wirewound Inductor 950mA 88 mOhm Max 2220 (5750 Metric) 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±10% 额定电流:950mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:88 毫欧最大不同频率时的 Q 值:10 @ 7.96MHz 频率 - 自谐振:29MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:7.96MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2220（5750 公制）大小/尺寸:0.220" 长 x 0.197" 宽（5.60mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.197"（5.00mm）标准包装:1 B82442A1412K000 功能描述:FIXED IND 4.1UH SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包装:带卷（TR）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.1μH 容差:±10% 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:- 不同频率时的 Q 值:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，J 形引线大小/尺寸:0.220" 长 x 0.197" 宽（5.60mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.209"（5.30mm）标准包装:3,000 B82442A1412K 功能描述:4.1μH Unshielded Wirewound Inductor 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.1μH 容差:±10% 额定电流:- 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:- 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.221" 长 x 0.197" 宽（5.60mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:3,000 B82442A1395K000 功能描述:FIXED IND 3.9MH 38MA 56 OHM SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包装:带卷（TR）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:3.9mH 容差:±10% 额定电流:38mA 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:56 欧姆最大不同频率时的 Q 值:30 @ 252kHz 频率 - 自谐振:1MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:252kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，J 形引线大小/尺寸:0.220" 长 x 0.197" 宽（5.60mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.209"（5.30mm）标准包装:3,000 B82442A1395K 功能描述:3.9mH Unshielded Wirewound Inductor 38mA 56 Ohm Max 2-SMD 制造商:epcos (tdk) 系列:SIMID 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:3.9mH 容差:±10% 额定电流:38mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:56 欧姆最大不同频率时的 Q 值:30 @ 252kHz 频率 - 自谐振:1MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:252kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.221" 长 x 0.197" 宽（5.60mm x 5.00mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:3,000 B82442A1563K B82442A1563K000 B82442A1564J B82442A1564J000 B82442A1564K B82442A1564K000 B82442A1565K B82442A1565K000 B82442A1682K B82442A1683K B82442A1684J B82442A1684J000 B82442A1684K B82442A1684K000 B82442A1685J B82442A1685J000 B82442A1685K B82442A1822K