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B82462G2333M000

配单专家企业名单
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  • B82462G2333M000
    B82462G2333M000

    B82462G2333M000

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 20356

  • EPCOS/爱普科斯

  • SMD

  • 2022+

  • -
  • 全新原装现货 支持BOM表配单

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    B82462G2333M000

  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

    联系人:陈先生

    电话:0755-83228629

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人,可开正规13%专

    资质:营业执照

  • 27500

  • EPCOS

  • SMD

  • 17+

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B82462G2333M000 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 固定电感器 SMT-INDUCTOR 6X6 (low) 33UH
  • RoHS
  • 制造商
  • AVX
  • 电感
  • 10 uH
  • 容差
  • 20 %
  • 最大直流电流
  • 1 A
  • 最大直流电阻
  • 0.075 Ohms
  • 工作温度范围
  • - 40 C to + 85 C
  • 自谐振频率
  • 38 MHz
  • Q 最小值
  • 40
  • 尺寸
  • 4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
  • 屏蔽
  • Shielded
  • 端接类型
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • 6.6 mm x 4.45 mm
B82462G2333M000 技术参数
  • B82462G2332M 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:2A 电流 - 饱和值:2.05A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):40 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:100kHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.098"(2.50mm) 标准包装:1 B82462G2223M 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 830mA 245 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:22μH 容差:±20% 额定电流:830mA 电流 - 饱和值:830mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):245 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:100kHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.098"(2.50mm) 标准包装:1 B82462G2222M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 32 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:2.3A 电流 - 饱和值:2.55A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):32 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:100kHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.098"(2.50mm) 标准包装:1 B82462G2104M 功能描述:100μH Shielded Wirewound Inductor 410mA 950 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:100μH 容差:±20% 额定电流:410mA 电流 - 饱和值:410mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):950 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:100kHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.098"(2.50mm) 标准包装:1 B82462G2103M 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 1.25A 106 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G2 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:1.25A 电流 - 饱和值:1.28A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):106 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:100kHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.248" 长 x 0.248" 宽(6.30mm x 6.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.098"(2.50mm) 标准包装:1 B82462G4105M000 B82462G4152M B82462G4153M B82462G4154M B82462G4222M B82462G4223M B82462G4224M B82462G4332M B82462G4333M B82462G4334M B82462G4472M B82462G4473M B82462G4474M B82462G4682M B82462G4683M B82462G4684M B82462G4684M000 B82462X0004
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