BAS16-02VE6327

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说明
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BAS16-02VE6327
深圳市煌盛达科技有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
联系人：贺小姐
电话：18948314511
地址：平湖华南城华利嘉
资质：营业执照
12000
INFINEON
原厂原封装
20+
-
原装库存，全新进口，可电13689551...

BAS16-02VE6327
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
ORIGINAL
最新批号
-
代理此型号，原装特价现货！

BAS16-02VE6327
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
INFINEON
NULL
NULL
-
假一罚十，百分百原装正品

BAS16-02VE6327
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
INFINEON
标准封装
13+
-
全新原装，现货，价优！

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
SP000014911_AF DIODES_TR_RO

BAS16-02VE6327 技术参数

BAS1602LE6327XTMA1 功能描述:Diode Standard 80V 200mA (DC) Surface Mount PG-TSLP-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:PG-TSLP-2 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:15,000 BAS16_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:85V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 BAS16_L99Z 功能描述:DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:85V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 BAS16_D87Z 功能描述:Diode Standard 85V 200mA Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:85V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS16,235 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:215mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）工作温度 - 结:150°C（最大）基本零件编号:BAS16 标准包装:1 BAS16D-G3-18 BAS16D-HE3-08 BAS16D-HE3-18 BAS16DXV6T1 BAS16DXV6T1G BAS16DXV6T5 BAS16DXV6T5G BAS16-E3-08 BAS16-E3-18 BAS16E6327HTSA1 BAS16E6393HTSA1 BAS16E6433HTMA1 BAS16-G BAS16-G3-08 BAS16-G3-18 BAS16GWJ BAS16GWX BAS16H,115