BAS21ST

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说明
操作

BAS21ST/R
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
Pb-free
SOT-23
最新批号
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功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 200mA 250V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
产品
Switching Diodes
峰值反向电压
600 V
正向连续电流
200 A
最大浪涌电流
800 A
配置
恢复时间
2000 ns
正向电压下降
1.25 V
最大反向漏泄电流
300 uA
最大功率耗散
工作温度范围
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ISOTOP
封装
Tube

BAS21ST 技术参数

BAS21SLT1G 功能描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 250V 225mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:225mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 BAS21SLT1 功能描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 250V 225mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:225mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:3,000 BAS21S RFG 功能描述:DIODE ARRAY GP 250V 200MA SOT23 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 BAS21PGX 功能描述:Diode Array 2 Independent Standard 250V 125mA (DC) Surface Mount 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:125mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 安装类型:表面贴装封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:5-TSSOP 标准包装:3,000 BAS21M3T5G 功能描述:Diode Standard 250V 200mA (DC) Surface Mount SOT-723 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:250V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SOT-723 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS21TR BAS21T-TP BAS21TW-7 BAS21TWQ-7 BAS21UE6327HTSA1 BAS21UE6359HTMA1 BAS21UE6433HTMA1 BAS21VD,135 BAS21VD,165 BAS21W RVG BAS21W,115 BAS21W-7 BAS21W-7-F BAS21WQ-7-F BAS21WS-TP BAS21WT-TP BAS28 TR BAS28,215