BAS35215

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
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批号
价格
说明
操作

BAS35215
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
PHL
NULL
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

BAS35215
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
3500
PHI
2012+
-
只做原装正品

BAS35215
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3898
NXP
SOP
2235+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

BAS35215
深圳市德会鑫科技有限公司
深圳市德会鑫科技有限公司
联系人：欧阳
电话：18672855211
地址：深圳市福田区华强北街道上步工业区 23 栋上航大厦 410-U
100
NXP
SOP
22+
-
原厂原装，优惠热卖

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
DIODE AVAL SW 90V 0.25A SOT-23

BAS35215 技术参数

BAS35,215 功能描述:DIODE ARRAY AVALANCHE 90V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管配置:1 对共阳极二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:90V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:250mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 90V 工作温度 - 结:150°C（最大）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:BAS35 标准包装:1 BAS35 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 120V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:120V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 90V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BAS34-TR 功能描述:Diode Standard 60V 200mA Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1nA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:10,000 BAS34-TAP 功能描述:Diode Standard 60V 200mA Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1nA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:10,000 BAS33-TAP 功能描述:Diode Standard 30V 200mA Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1nA @ 15V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:10,000 BAS386-TR3 BAS40 RFG BAS40,215 BAS40,235 BAS40/DG/B2,215 BAS40/ZLR BAS40/ZLVL BAS40-00-E3-08 BAS40-00-E3-18 BAS40-00-G3-08 BAS40-00-G3-18 BAS40-00-HE3-08 BAS40-00-HE3-18 BAS4002ARPPE6327HTSA1 BAS4002LE6327XTMA1 BAS4002S02LRHE6327XTSA1 BAS40-02V-V-G-08 BAS40-04 RFG