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BAT62E-6327

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BAT62E-6327 技术参数
  • BAT6207WH6327XTSA1 功能描述:RF Diode Schottky - 2 Independent 40V 20mA 100mW PG-SOT343-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:肖特基 - 2 个独立式 电压 - 峰值反向(最大值):40V 电流 - 最大值:20mA 不同?Vr,F 时的电容:0.6pF @ 0V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:- 功率耗散(最大值):100mW 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:PG-SOT343-4 标准包装:1 BAT6207WE6327HTSA1 功能描述:RF Diode Schottky - 2 Independent 40V 20mA 100mW PG-SOT343-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:肖特基 - 2 个独立式 电压 - 峰值反向(最大值):40V 电流 - 最大值:20mA 不同?Vr,F 时的电容:0.6pF @ 0V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:- 功率耗散(最大值):100mW 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 供应商器件封装:PG-SOT343-4 标准包装:3,000 BAT6207L4E6433XTMA1 功能描述:RF Diode Schottky - 2 Independent 40V 20mA 100mW PG-TSLP-4 (1.2x0.8) 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:肖特基 - 2 个独立式 电压 - 峰值反向(最大值):40V 电流 - 最大值:20mA 不同?Vr,F 时的电容:0.6pF @ 0V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:- 功率耗散(最大值):100mW 封装/外壳:4-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSLP-4(1.2x0.8) 标准包装:50,000 BAT6207L4E6327XT 功能描述:RF Diode Schottky - 2 Independent 40V 20mA 100mW PG-TSLP-4 (1.2x0.8) 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 二极管类型:肖特基 - 2 个独立式 电压 - 峰值反向(最大值):40V 电流 - 最大值:20mA 不同?Vr,F 时的电容:0.6pF @ 0V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:- 功率耗散(最大值):100mW 封装/外壳:4-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSLP-4(1.2x0.8) 标准包装:15,000 BAT6203WE6327HTSA1 功能描述:RF Diode Schottky - Single 40V 20mA 100mW PG-SOD323-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:肖特基 - 单 电压 - 峰值反向(最大值):40V 电流 - 最大值:20mA 不同?Vr,F 时的电容:0.6pF @ 0V,1MHz 不同?If,F 时的电阻:- 功率耗散(最大值):100mW 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:PG-SOD323-2 标准包装:1 BAT6404WH6327XTSA1 BAT6405E6327HTSA1 BAT64-05-TP BAT6405WE6327HTSA1 BAT6405WH6327XTSA1 BAT6406E6327HTSA1 BAT6406WE6327HTSA1 BAT6406WH6327XTSA1 BAT64E6327HTSA1 BAT6804E6327HTSA1 BAT6804WE6327BTSA1 BAT6804WH6327XTSA1 BAT6806E6327HTSA1 BAT6806WE6327HTSA1 BAT6806WH6327XTSA1 BAT68E6327HTSA1 BAT720,215 BAT720,235
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