BAV20 TR

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BAV20 TR 技术参数

BAV20 A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 BAV20 功能描述:Diode Standard 200V 200mA Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:2,000 BAV19WTR 功能描述:Diode Standard 100V 200mA Surface Mount SOD-123 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 BAV19W-TP 功能描述:Diode Standard 100V 200mA Surface Mount SOD-123 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BAV19WSTR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 BAV202-GS08 BAV202-GS18 BAV203-GS08 BAV203-GS18 BAV20-TAP BAV20TR BAV20-TR BAV20W RHG BAV20W-7 BAV20W-7-F BAV20W-E3-08 BAV20W-E3-18 BAV20W-G RHG BAV20W-G3-08 BAV20W-G3-18 BAV20W-HE3-08 BAV20W-HE3-18 BAV20WS RRG