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BC212015BQN-E4

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  • BC212015BQN-E4
    BC212015BQN-E4

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  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30

  • 69880

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  • BC212015BQN-E4
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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

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  • BC212015BQN-E4
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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 24100

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  • BC212015BQN-E4
    BC212015BQN-E4

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

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  • BC212015BQN-E4
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • CSR-Pb

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  • BC212015BQN-E4
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  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-292759351581559886118576729816

    地址:广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

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  • BC212015BQN-E4
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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9800

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  • 18+

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  • 功能描述
BC212015BQN-E4 技术参数
  • BC212_J35Z 功能描述:TRANS PNP 50V 0.3A TO-9 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC212_D75Z 功能描述:TRANS PNP 50V 0.3A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC212_D74Z 功能描述:TRANS PNP 50V 0.3A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC212_D27Z 功能描述:TRANS PNP 50V 0.3A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC212_D26Z 功能描述:TRANS PNP 50V 0.3A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BC212L_D27Z BC212L_D75Z BC212L_J35Z BC212LB BC212LB_D74Z BC212LB_J35Z BC213 BC213_J35Z BC213L BC213L_D27Z BC213L_J35Z BC214 BC214_J35Z BC214L BC214L_D26Z BC214L_J35Z BC214L_L34Z BC214LB
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