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BC858AWTIG

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 2100

  • ON

  • ROHS

  • 13+

  • -
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 6550

  • ON

  • SOD-323

  • 201311+

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  • BC858AWTIG
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  • 深圳市奥伟斯科技有限公司
    深圳市奥伟斯科技有限公司

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    电话:0755-83254770

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    资质:营业执照

  • 30000

  • ONLRC

  • SOD-323

  • 18+

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  • 低价大批量供应

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BC858AWTIG 技术参数
  • BC858AWT1G 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3(SOT323) 标准包装:3,000 BC858AWT1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3(SOT323) 标准包装:3,000 BC858AW-G 功能描述:TRANS PNP 30V 100MA SOT323 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2.2mA,5V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BC858AW-7-F 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BC858AMTF 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):110 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:310mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BC858BLT3G BC858BMTF BC858BT116 BC858BW-7-F BC858BWE6327HTSA1 BC858BW-G BC858BWH6327XTSA1 BC858BWT1 BC858BWT106 BC858BWT1G BC858C BC858C RFG BC858C-7-F BC858CDW1T1 BC858CDW1T1G BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T5 BC858CDXV6T5G
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