您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > B字母型号搜索 >

BC858B RF

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BC858B RF
    BC858B RF

    BC858B RF

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8378920313332987005

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • Taiwan Semiconductor

  • 原厂原装

  • 18+

  • -
  • 原装现货,优势供应

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
BC858B RF PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • SKMI/Taiwan
  • 功能描述
  • Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23
BC858B RF 技术参数
  • BC858AWT1G 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3(SOT323) 标准包装:3,000 BC858AWT1 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3(SOT323) 标准包装:3,000 BC858AW-G 功能描述:TRANS PNP 30V 100MA SOT323 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2.2mA,5V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BC858AW-7-F 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 BC858AMTF 功能描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):110 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:310mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BC858BLT3G BC858BMTF BC858BT116 BC858BW-7-F BC858BWE6327HTSA1 BC858BW-G BC858BWH6327XTSA1 BC858BWT1 BC858BWT106 BC858BWT1G BC858C BC858C RFG BC858C-7-F BC858CDW1T1 BC858CDW1T1G BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T5 BC858CDXV6T5G
配单专家

在采购BC858B RF进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买BC858B RF产品风险,建议您在购买BC858B RF相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的BC858B RF信息由会员自行提供,BC858B RF内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号