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BCP56 T/R

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  • BCP56 T/R
    BCP56 T/R

    BCP56 T/R

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • Trans GP BJT NPN 80V

  • 09+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • BCP56 T/R
    BCP56 T/R

    BCP56 T/R

  • 深圳市源运电子商行
    深圳市源运电子商行

    联系人:林先生

    电话:15913992480

    地址:深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼

  • 6000

  • NXP

  • SOT-223

  • 16+

  • -
  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
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  • 制造商
  • PHILIPS-SEMI
  • 功能描述
BCP56 T/R 技术参数
  • BCP56 功能描述:TRANS NPN 80V 1.2A SOT-223 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.2A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223-4 标准包装:1 BCP55TA 功能描述:TRANS NPN 60V 1A SOT223-4 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BCP55H6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN 60V 1A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BCP55E6327HTSA1 功能描述:TRANS NPN 60V 1A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:PG-SOT223-4 标准包装:1,000 BCP5516TA 功能描述:TRANS NPN 60V 1A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 BCP56-10TF BCP56-10TX BCP56-16 BCP56-16,115 BCP56-16,135 BCP5616E6327HTSA1 BCP5616H6327XTSA1 BCP56-16HX BCP5616QTA BCP56-16T1 BCP56-16T1G BCP56-16T3G BCP5616TA BCP5616TC BCP56-16TF BCP56-16-TP BCP56-16TX BCP56F
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