BCR198E6433

配单专家企业名单

型号
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数量
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价格
说明
操作

BCR198E6433HTMA1
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
2252
INFINEON/英飞凌
NA
23+
-
18万条库存，一站式配齐

BCR198E6433HTMA1
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
50000
INFINEON/英飞凌
NA
13+
-

BCR198E6433
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
Infineon
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BCR198E6433
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
30000
INF
ORIGONAL
16+
-
0.01416 USD,szpoweri...

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述

BCR198E6433 技术参数

BCR198E6393HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP SOT23 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:最後搶購晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 电阻器 - 发射极基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:190MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BCR198E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:上次购买时间晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:190MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BCR198B6327HTLA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:190MHz 功率 - 最大值:200mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:30,000 BCR196WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BCR196WE6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 预偏压电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:22k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BCR1AM-8P#B10 BCR1BM-16A#B00 BCR205WH6327XTSA1 BCR20CM-12LB#BB0 BCR20CM-16LB#BB0 BCR20FM-12LB#BB0 BCR20FM-14LJ#BB0 BCR20RM-30LA#B00 BCR22PNE6327BTSA1 BCR22PNE6433HTMA1 BCR22PNH6327XTSA1 BCR22PNH6433XTMA1 BCR25CM-12LB#BB0 BCR25FM-12LB#BB0 BCR25FM-14LJ#BB0 BCR25FR-12LB#BB0 BCR25RM-12LB#B00 BCR2AS-14A-T13#B00