BCR4AS-16LH#B00

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BCR4AS-16LH#B00
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9888
NXP
NA
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

BCR4AS-16LH#B00
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
5708
RENESAS
SOT252
23+
-
原厂原装正品现货

BCR4AS-16LH#B00
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
Renesas
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

BCR4AS-16LH#B00
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3595
RENESAS
SOT252
2237+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
TRIAC 800V 4A

BCR4AS-16LH#B00 技术参数

BCR48PNH6433XTMA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA，100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k，2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 频率 - 跃迁:100MHz，200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:10,000 BCR48PNH6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA，100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k，2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 频率 - 跃迁:100MHz，200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BCR48PNE6433BTMA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA，100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k，2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 频率 - 跃迁:100MHz，200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:10,000 BCR48PNE6327BTSA1 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA，100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）:47k，2.2k 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）:47k 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 频率 - 跃迁:100MHz，200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BCR4700BFMAHWT 功能描述:RES SMD 47 OHM 1% 1/4W 0202 制造商:vishay electro-films 系列:BCR 包装:托盘零件状态:有效电阻（欧姆）:47 容差:±1% 功率（W）:0.25W，1/4W 成分:薄膜特性:防潮温度系数:±250ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:0202（0505 公制）供应商器件封装:202 大小/尺寸:0.020" 长 x 0.020" 宽（0.50mm x 0.50mm）高度:0.012"（0.30mm）端子数:2 标准包装:10 BCR521E6327HTSA1 BCR523E6327HTSA1 BCR523E6433HTMA1 BCR523UE6327HTSA1 BCR523UE6433HTMA1 BCR5242-AP BCR5242-AR BCR5242-BP BCR5242-BR BCR533E6327HTSA1 BCR553E6327HTSA1 BCR555E6327HTSA1 BCR555E6433HTMA1 BCR562E6327HTSA1 BCR573E6327HTSA1 BCR573E6433HTMA1 BCR583E6327HTSA1 BCR5AS-12A-T13#B00