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  • BCX17TC
  • 14562
  • Diodes Incorporated
  • 16+
  • SOT-23-3
  • BCX17TC
  • 6000
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  • 14+
  • 分立式半导体产品
  • BCX17TC
  • 10800
  • Diodes Inc
  • 12+
  • TO-236-3,SC-59,SOT-2
1
BCX17TC
参数信息:

功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Low Saturation

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

配置:

晶体管极性:PNP

集电极—基极电压 VCBO:

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V

集电极—射极饱和电压:

最大直流电集电极电流:

增益带宽产品fT:

直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A

最大工作温度:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BCX17TC技术参数

BCX18 制造商:DIOTEC 制造商全称:Diotec Semiconductor 功能描述:Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors BCX18 /T3 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 BCX18 T/R 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 BCX18,215 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 BCX18,235 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 BCX18215 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: BCX18L 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 BCX18LT1 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 BCX18LT1G 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 BCX18R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236