BD178G.

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深圳市华芯盛世科技有限公司
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电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
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BD178G. 技术参数

BD17810STU 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:60 BD1766STU 功能描述:TRANS PNP 45V 3A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:60 BD17610STU 功能描述:TRANS PNP 45V 3A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:60 BD1756STU 功能描述:TRANS NPN 45V 3A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:60 BD1754HFN-TR 功能描述:LED照明驱动器 4 LEDs 2.7-5.5V 32mA Max Curr RoHS:否制造商:STMicroelectronics 输入电压:11.5 V to 23 V 工作频率: 最大电源电流:1.7 mA 输出电流: 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-16N BD18377EFV-ME2 BD18378EFV-ME2 BD1865GWL-E2 BD18GA3MEFJ-LBH2 BD18GA3MEFJ-ME2 BD18GA3WEFJ-E2 BD18GA5MEFJ-ME2 BD18GA5WEFJ-E2 BD18GC0MEFJ-LBH2 BD18GC0MEFJ-ME2 BD18GC0WEFJ-E2 BD18HA3MEFJ-LBH2 BD18HA3MEFJ-ME2 BD18HA3WEFJ-E2 BD18HA5MEFJ-LBH2 BD18HA5MEFJ-ME2 BD18HA5WEFJ-E2 BD18HC0MEFJ-LBH2