BDV64TU

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功能描述
两极晶体管 - BJT
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

BDV64TU 技术参数

BDV64-S 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 12A 制造商:bourns inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:3.5W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:SOT-93 标准包装:300 BDV64C-S 功能描述:TRANS PNP DARL 120V 12A 制造商:bourns inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:3.5W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:SOT-93 标准包装:300 BDV64B-S 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 12A 制造商:bourns inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:3.5W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:SOT-93 标准包装:300 BDV64BG 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 10A TO247 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:125W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 BDV64B 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 10A TO-218 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 20mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:125W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-218-3 供应商器件封装:SOT-93 标准包装:30 BDW23C-S BDW23CTU BDW23-S BDW23TU BDW24A-S BDW24ATU BDW24B-S BDW24BTU BDW24C-S BDW24CTU BDW24-S BDW24TU BDW42 BDW42G BDW46 BDW46G BDW47 BDW47G