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BF246C

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  • BF246C
    BF246C

    BF246C

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 8900

  • FAI

  • TO-92

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  • 绝对公司原装现货

  • BF246C
    BF246C

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 16320

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  • TO-92

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  • BF246C
    BF246C

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 20000

  • MOTOROLA

  • 分立/功率器件

  • 14+

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  • BF246C 其他被动元件
    BF246C 其他被动元件

    BF246C 其他被动元件

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:廖R

    电话:13163738578

    地址:龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707

  • 20

  • TOREX/特瑞仕

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  • BF246C
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

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  • 865000

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  • BF246C
    BF246C

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  • 深圳市品业电子有限公司
    深圳市品业电子有限公司

    联系人:李小姐

    电话:0755-23895664

    地址:华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55

  • 12308

  • FAI

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  • 只做原装正品 现货 价格优势

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  • 制造商
  • 未知厂家
  • 制造商全称
  • 未知厂家
  • 功能描述
  • PLASTIC-CASE JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS
BF246C 技术参数
  • BF246B_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 25V 60mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):25V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):60mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 标准包装:2,000 BF246B 功能描述:JFET N-Channel 25V 60mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):25V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):60mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 标准包装:2,000 BF246A_J35Z 功能描述:JFET N-Channel 30V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):30V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):30mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 BF246A 功能描述:JFET N-Channel 30V 30mA @ 15V 350mW Through Hole TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):30V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):30mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 BF245C_J35Z 功能描述:RF Mosfet N-Channel JFET TO-92-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:25mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:30V 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF26180-24B BF26188-20B BF26214-20B BF26230-24B BF26240-24B BF26250-24B BF26285-20B BF26318-20B BF26360-20B BF26409-31B BF2661-24B BF2698-20B BF2930 BF2F BF2G BF2M-C BF2M-M BF2M-M0
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