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BF969

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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  • NXP

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 865000

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BF969 技术参数
  • BF959ZL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF959ZL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF959-UV1/3 功能描述:CCFL, Ultraviolet (UV) Narrow Spectrum 375V Start, 150V Operating 5mA 0.15μW, cm2 @ 1" 9.0mm x 59mm 制造商:jkl components corp. 系列:- 零件状态:过期 大小/尺寸:9.0mm x 59mm 类型:CCFL - 紫外线(UV)窄频谱 电压:375V 启动,150V 操作 电流:5mA 输出:0.15μW,cm2 @ 1" 标准包装:50 BF959RL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF959RL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF998RE6327HTSA1 BF998WR,115 BF999E6327HTSA1 BF999E6433HTMA1 BFA.0B.160.LN BFA.0E.100.NAS BFA.1E.100.NAS BFA.1E.103.BAS BFA.1K.100.NAE BFA.2E.100.NAS BFA.2K.100.KZS BFA.2K.100.NAS BFA.2V.100.NAZ BFA.3E.100.NAS BFA.3K.100.NAS BFA.3K.170.800EN BFA.4E.100.NAS BFA.4S.100.NAS
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