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BF991,215

配单专家企业名单
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  • BF991,215
    BF991,215

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  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

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  • 假一罚十,百分百原装正品

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • SOT-143B

  • 17+

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  • 全新原装现货

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 2300

  • NXP

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  • 13+

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • 原厂封装

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  • BF991,215
    BF991,215

    BF991,215

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1000

  • NXP USA Inc.

  • 原厂封装

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

  • BF991,215
    BF991,215

    BF991,215

  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

    联系人:

    电话:13480313979

    地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质:营业执照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

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  • 原装正品 专业BOM配单

  • BF991,215
    BF991,215

    BF991,215

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:廖小姐

    电话:18998919871

    地址:深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602

  • 1000

  • NXP USA Inc.

  • 带卷(TR)

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

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BF991,215 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 射频MOSFET小信号晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
  • RoHS
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Dual Dual Gate
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 汲极/源极击穿电压
  • 6 V
  • 闸/源击穿电压
  • 6 V
  • 漏极连续电流
  • 30 mA
  • 功率耗散
  • 180 mW
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • SC-88
  • 封装
  • Reel
BF991,215 技术参数
  • BF959ZL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF959ZL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF959-UV1/3 功能描述:CCFL, Ultraviolet (UV) Narrow Spectrum 375V Start, 150V Operating 5mA 0.15μW, cm2 @ 1" 9.0mm x 59mm 制造商:jkl components corp. 系列:- 零件状态:过期 大小/尺寸:9.0mm x 59mm 类型:CCFL - 紫外线(UV)窄频谱 电压:375V 启动,150V 操作 电流:5mA 输出:0.15μW,cm2 @ 1" 标准包装:50 BF959RL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF959RL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 频率 - 跃迁:700MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 BF998WR,115 BF999E6327HTSA1 BF999E6433HTMA1 BFA.0B.160.LN BFA.0E.100.NAS BFA.1E.100.NAS BFA.1E.103.BAS BFA.1K.100.NAE BFA.2E.100.NAS BFA.2K.100.KZS BFA.2K.100.NAS BFA.2V.100.NAZ BFA.3E.100.NAS BFA.3K.100.NAS BFA.3K.170.800EN BFA.4E.100.NAS BFA.4S.100.NAS BFA.5S.100.NAS
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